Rò rỉ smartphone Samsung A50 với nhiều tính năng cao cấp

Thông tin từ trang tin của FPT cho hay, ngày 23/5, Chủ tịch nước Trần Đại Quang sẽ tổ chức tiệc chiêu đãi Tổng thống Obama tại Trung tâm Hội nghị Quốc tế Hà Nội. Ông Trương Gia Bình được mời tham dự sự kiện này. 

Đây là lần thứ hai Chủ tịch FPT được gặp Tổng thống Mỹ. Lần đầu là tháng 11/2006 nhân chuyến thăm TP.HCM của Tổng thống Bush. Khi ấy, Tổng thống Mỹ đã tổ chức bàn tròn đối thoại với 5 doanh nhân Việt Nam gồm Chủ tịch FPT Trương Gia Bình, Tổng Giám đốc Công ty cổ phần khu công nghiệp Tân Tạo Đặng Thành Tâm, Chủ tịch HĐQT Công ty cổ phần Cơ điện lạnh REE Nguyễn Thị Mai Thanh, CEO Công ty Cổ phần xây dựng kiến trúc AA Nguyễn Quốc Khanh và Tổng Giám đốc Công ty Toàn Mỹ Lê Thị Phương Thuỷ. Tham dự cuộc gặp còn có Ngoại trưởng Mỹ Condoleezza Rice, Đại sứ Mỹ tại Việt Nam Michael Marine và một số doanh nghiệp Mỹ.

Phát biểu trên trang tin này, Chủ tịch Trương Gia Bình nhấn mạnh: “Đây là cơ hội chưa từng có của đất nước. Sự kiện cũng mở ra cơ hội hợp tác cũng như tạo điều kiện để Việt Nam có thể đuổi kịp thế giới trong cách mạng số”.

Trang tin dẫn lời ông Trương Gia Bình mong muốn ông Obama sẽ đưa các chương trình startup mà chính Tổng thống đang khuyến khích tại nước Mỹ và nhiều nơi trên thế giới đến Việt Nam, “nhằm tạo điều kiện cho các thanh niên trẻ Việt Nam có cơ hội kết nối với những trung tâm lớn về công nghệ của nước Mỹ để thanh niên Việt Nam có cơ hội vươn lên toàn cầu”.

Trong ngày 24/5, Tổng thống Mỹ sẽ có buổi nói chuyện với sinh viên Hà Nội tại một trường Đại học. Theo tiết lộ của đại diện Đại học FPT, 200 sinh viên của trường sẽ tham dự chương trình này. Địa điểm cụ thể được Đại sứ quán Mỹ thông báo khi gửi vé mời trực tiếp tới các sinh viên đăng ký tham dự và được chấp nhận.

Tại TP.HCM, ông Obama sẽ gặp gỡ các thành viên của Sáng kiến Thủ lĩnh trẻ Đông Nam Á - YSEALI, doanh nhân và cộng đồng doanh nghiệp Mỹ. Cơ quan ngoại giao Mỹ cũng vừa gửi thư mời anh Trần Hữu Đức, Giám đốc Công nghệ FPT Trading kiêm GĐ FPT Ventures, tham dự chương trình. "Phía Mỹ mời tôi tham dự với tư cách là Giám đốc FPT Ventures - Quỹ đầu tư khởi nghiệp FPT", anh Đức tiết lộ.

Trong khuôn khổ hội thảo 3G/TLE 2015 đang diễn ra tại Hồng Kông, Qualcomm Technologies, Inc., công ty con của Qualcomm Incorporated vừa cho ra mắt thế hệ tiếp theo của công nghệ sạc nhanh với Qualcomm Quick Charge 3.0. Quick Charge 3.0 là thế hệ thứ 3 của công nghệ này và đây là lần đầu Qualcomm sử dụng Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV), một thuật toán mới do chính Qualcomm Technologies phát triển và thiết kế nhằm cho phép các thiết bị cầm tay có thể quyết định mức năng lượng cần thiết tại bất cứ thời điểm nào để việc truyền tại điện năng đạt kết quả tối ưu. Với công nghệ Quick Charge 3.0, bạn có thể sạc một chiếc điện thoại từ 0 lên 80% chỉ trong vòng 35 phút. Trong khi đó, với một sản phẩm sử dụng công nghệ Quick Charge thông thường, thời gian này là khoảng 1,5 tiếng.

Quick Charge 3.0 được thiết kế để đạt hiệu suất cao hơn 38% so với Quick Charge 2.0 và vẫn đảm bảo các biện pháp bổ sung để bảo vệ pin thiết bị. Khi sử dụng công nghệ này của Qualcomm tốc độ sạc có thể đẩy nhanh lên 27% và giảm lượng điện năng thất thoát xuống 45% so với công nghệ Quick Charge 2.0. Ngoài ra, tốc độ sạc còn nhanh hơn gấp 2 lần so với Quick Charge 1.0.

Quick Charge 3.0 sẽ là một tính năng tùy chọn trên một số vi xử lý của Qualcomm Snapdragon bao gồm 820, 620, 618 và 430 và sẽ xuất hiện trên nhiều thiết bị di động trong năm sau.

Theo ông Alex Katouzian, Phó Chủ tịch cấp cao mảng quản lý sản phẩm của Qualcomm Technologies, Inc: “Chúng tôi đang cải thiện đáng kể khả năng và lợi ích mà Quick Charge 3.0 mang lại nhằm thúc đẩy công nghệ sạc nhanh. Quick Charge 3.0 giải quyết một vấn đề chính của người sử dụng đó là giúp họ sạc pin nhanh hơn và hiệu quả hơn thông qua công nghệ hàng đầu và hệ sinh thái mạnh của những nhà sản xuất thiết bị và phụ kiện hàng đầu”.